Los transistores de efecto campo (FET) son dispositivos que, al igual que los BJT, se utilizan como amplificadores e interruptores lógicos.
• Existen dos grandes grupos de FET: los de unión (JFET) y los metal-óxido semiconductor (MOSFET). Dentro de los MOSFET está el de acumulación, el cual ha propiciado los rápidos avances de los dispositivos digitales.
Diferencias entre BJT y FET:
– El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente.
– El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa y saturación.
– Los FET son la siguiente generación de transistores después de los BJT.
– El flujo de corriente del FET depende solo de los portadores mayoritarios (Unipolares).
– La corriente de salida es controlada por un campo eléctrico (fuente de tensión).
– El apagado y encendido por tensión es más fácil que por corriente.
MOSFET Y BJT. VENTAJAS E INCONVENIENTES
• Ventajas
– Los FET son dispositivos sensibles al voltaje, con una gran impedancia de entrada
(del orden de 10 Mohm a 1 Gohm). Al ser mucho más alta que la correspondiente a
los BJT, se prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa.
– Los JFET generan menos ruido que los BJT.
– Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT; pudiéndose incluir un mayor número de FET en un solo chip (requieren menor área), de aquí que memorias y microprocesadores se implementen únicamente con MOSFET.
– Los FET funcionan como resistencias variables controladas por voltaje para valores
– Los FET funcionan como resistencias variables controladas por voltaje para valores pequeños de voltaje de drenaje a fuente.
– La elevada impedancia de entrada de los FET permite que almacenen la carga durante tiempo suficientemente largo como para usarlos como elementos de almacenamiento.
– Los FET de potencia controlan potencia elevadas y conmutan grandes corrientes.
– Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT.
• Inconvenientes
– Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia, debido a la alta capacidad de
entrada.
– Algunos FET tienen una pobre linealidad.
– Los FET se dañan con el manejo debido a la electricidad estática
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Transistores
